球盟会

JGDN120
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JGDN120
单晶异质结双面双玻组件
640W~670W
  • 球盟会

    接纳210mm ,N型HJT半片电池

  • 球盟会

    组件功率高达670W ,组件转换效率抵达23.67%

  • 球盟会

    接纳优异的MBB半片电池手艺镌汰隐裂及切面损伤

  • 球盟会

    正面输出功率比TOPCon组件高4.1% ,背面输出功率比TOPCon组件高14.76%

  • 球盟会

    无BO-LID,优异的抗LeTID和抗PID性能
    低功率衰减 ,更高的功率输出

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    温度系数为-0.243%/℃

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产品优势
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